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參數資料
| 型號： | 2SA1400-Z |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
| 中文描述： | 進步黨三重擴散硅晶體管型號：MP - 3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | 2SA1400-Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1400-ZK | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1400-ZL | BJT |
| 2SA1400-ZM | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1400-ZN | BJT |
| 2SA1406 | high-Definition CRT Display Video Output Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1402 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-126 -80V -.3A 1.2W ECB |
| 2SA1403 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-126 |
| 2SA1403D | 制造商:SANYO 功能描述:omo 60V 0.5A 60 to 120 TO-126 Bulk 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin TO-126 |
| 2SA1403E/D | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SA1407E | 功能描述:TRANS PNP 200V 150MA TO126-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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