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參數資料
| 型號： | 2SA1402F |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | 2SA1402F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3607 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3621-R | 1.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3621R | 1.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC3622A | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SC3622-K | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1403 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-126 |
| 2SA1403D | 制造商:SANYO 功能描述:omo 60V 0.5A 60 to 120 TO-126 Bulk 制造商:Sanyo 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin TO-126 |
| 2SA1403E/D | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SA1407E | 功能描述:TRANS PNP 200V 150MA TO126-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1408-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 150V 1.5A 3-Pin TO-126IS |
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