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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1403E |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | 2SA1403E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1405 | 0.3 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1405-C | 0.3 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC3599-F | 0.3 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1405-D | 0.3 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1407 | 0.15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1403E/D | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SA1407E | 功能描述:TRANS PNP 200V 150MA TO126-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1408-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 150V 1.5A 3-Pin TO-126IS |
| 2SA1409 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR TO-92-25V -.15A .25W ECB |
| 2SA1411 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SC-59-25V -.15A .2W SURFACE MOUNT |
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