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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1413-Z-T2K |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2SA1413-Z-T2K |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1413-ZM | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 2SA1413-ZK | 1 A, 600 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 2SA1418T | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SC3648 | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3648T | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1415S-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 160V 0.14A 140 to 280 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 160V 0.14A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SA1416S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1416T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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