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參數資料
| 型號： | 2SA1413-ZK |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | 2SA1413-ZK |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SA1413-ZM | BJT |
| 2SA1413-Z | PNP SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR MP-3 |
| 2SA1492 | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管) |
| 2SA1493 | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SA1416S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1416T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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