型號: | 2SA1451A |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | 2-10R1A, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 149K |
代理商: | 2SA1451A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA1452O | 12 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
2SA1462Y33 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1464Y14 | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1468B | 100 mA, 180 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1468 | 100 mA, 180 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1451A-O(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 12A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1451AY | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
2SA1451A-Y(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 12A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1452A-Y(F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 80V 12A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1452A-YF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR 2SA1452A-Y |