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參數資料
| 型號： | 2SA1577T106Q |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | UMT3, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SA1577T106Q |
2SA1577
Transistors
Rev.A
1/3
Medium Power Transistor (-32V,-05A)
2SA1577
Features
1) Large IC.
ICMAX. = -500mA
2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage
operation.
3) Complements the 2SC4097.
Structure
Epitaxial planer type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
2SA1577
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
0
0.1
(2)
(1)
(3)
0.1
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.9
±0.1
0.2
0.7
±0.1
0.15
±0.05
0.3
2.0
±0.2
1.3
±0.1
0.65 0.65
+0.1
0
Abbreviated symbol: H
Denotes hFE
All terminals have
same dimensions
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
40
V
A
W
32
5
0.5
0.2
150
55 to +150
Symbol
Limits
Unit
PC MAX. must not be exceeded.
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1577T106Q/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -500mA, |
| 2SA1577T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 0.5A SOT-323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1579T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SA1579T106R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 120V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1579T106R/S | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, General purpose, -120V |
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