- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370049 > 2SA1585E (江蘇長電科技股份有限公司) TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SA1585E |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | TRANSISTOR |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 227K |
| 代理商： | 2SA1585E |
C
WBFBP-03A
(1.6×1.6×0.5)
unit: mm
B E
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
E B
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors
2SA1585E
TRANSISTOR
DESCRIPTION
PNP Epitaxial planar type Silicon Transistor
FEATURES
Low V
CE
(sat).V
CE
(sat) = -0.2V (Typ.)(I
C
/I
B
=-2A/-0.1A)
APPLICATION
Excellent current gain characteristics
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
MARKING:AEQ, AER, AES
C
AEQ
B E
MAXIMUM RATINGS T
A
=25
℃
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Value
-20
-20
-6
-2
150
150
-55-150
Units
V
V
V
A
mW
℃
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CEsat
Test conditions
I
C
= -50
μ
A , I
E
=0
I
C
= -1mA , I
B
=0
I
E
=- 50
μ
A, I
C
=0
V
CB
=-20V , I
E
=0
V
EB
= -5V , I
C
=0
V
CE
=-2 V, I
C
= -0.1A
I
C
= -2A, I
B
=-0.1A
V
CE
=-2V, I
C
=-0.5A
f=100MHz
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
MIN
-20
-20
-6
120
TYP
MAX
-0.1
-0.1
560
-0.5
UNIT
V
V
V
μ
A
μ
A
V
Transition frequency
f
T
240
MHz
Collector output capacitance
C
obo
35
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1608Y12 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1608Y13 | BJT |
| 2SA1608Y14 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA1608 | HIGH FREQUENCY AMPLIFIER AND SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1610 | HIGH SPEED SWITCHING PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1585STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1585STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1586-GR(T5L,F,T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586-GR(T5LHITF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。