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參數資料
| 型號： | 2SA1585S |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) |
| 中文描述： | 低Vce（sat）晶體管（- 20V的，- 3A）條 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SA1585S |
(96-596-A74)
External dimensions (Units: mm)
201
Transistors
Low V
CE(sat)
Transistor (
2SB1424 / 2SA1585S
20V,
3A)
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
=
(I
C
/I
B
=
2) Excellent DC current gain charac-
teristics.
3) Complements the 2SD2150 /
2SC4115S.
0.2V (Typ.)
2A /
0.1A)
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
Absolute maximum ratings (Ta = 25 C)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SA1585STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1586-GR(T5L,F,T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586-GR(T5LHITF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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