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參數資料
| 型號： | 2SA1585STP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | 2SA1585STP |
2SB1424 / 2SA1585S
Transistors
Rev.A
1/3
Low VCE(sat) Transistor (
20V, 3A)
2SB1424 / 2SA1585S
Features
1) Low VCE(sat).
VCE(sat) =
0.2V (Typ.)
(IC/IB =
2A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
External dimensions (Unit : mm)
3±
0.2
(15Min.)
4
±0.2
2
±0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
+0.15
0.05
2.5+0.4
0.1
3Min.
2SA1585S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
ROHM : SPT
EIAJ : SC-72
2SB1424
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
ROHM : MPT3
EIAJ : SC-62
±
0.3
0.1
+
0.2
0.05
+0.1
+0.2
0.1
(3)
(2)
(1)
4.0
1.0
±
0.2
0.5
±
0.1
2.5
3.0
±0.2
1.5
±0.1
1.5
±0.1
0.4
±0.1
0.5
±0.1
0.4
±0.1
0.4
1.5
±0.1
4.5
1.6
±0.1
Denotes hFE
Abbreviated symbol: AE
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
20
V
A
W
°C
20
6
3
2
ICP
A(Pulse)
5
0.5
2SB1424
2SA1585S
0.4
150
55 to 150
Symbol
Limits
Unit
Single pulse Pw=10ms
2SA1585S
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1424T100 | 3000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1606-D | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1606 | 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4159 | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4159-E | 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 2SA1585STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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| 2SA1586-GR(T5LHITF | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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