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參數資料
| 型號： | 2SA1588OTE85L |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SA1588OTE85L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1590 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1603-13-1R | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1603-T11-1S | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1603-13-1T | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1603-T11-1T | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1588-Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP USM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistors Bipolar - BJT PNP Trans -0.5A LN -30V VCEO |
| 2SA1588-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 |
| 2SA1593S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1593S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1593T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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