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參數資料
| 型號： | 2SA1664 |
| 英文描述： | SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors |
| 中文描述： | 采用SOT - 89塑料封裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | 2SA1664 |
SOT-89 Plastic-Encapsulate
d
Transistors
2SA1664
TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.5 W (Tamb=25
℃
)
Collector current
I
CM
: -0.8 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -35 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V
(BR)CBO
Ic=
-1
mA, I
E
=0
-35
V
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CEO
Ic=-10mA, I
B
=0
-30
V
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR)EBO
I
E
=
-1m
A, I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
-35
V, I
E
=0
-0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
-5
V, I
C
=0
-0.1
μ
A
h
FE(1)
V
CE
=-1V, I
C
=
-100
mA
100
320
DC current gain
h
FE(2)
V
CE
=
-1
V, I
C
=
-700
mA
35
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
-500
mA, I
B
=
-20
mA
-0.7
V
Base-emitter voltage
V
BE
V
CE
=
-1
V, I
C
=
-10
mA
-0.5
-0.8
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=
-5
V, I
C
=
-10
mA
120
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB
=
-10
V, I
E
=0, f=
1
MHz
19
pF
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank
O
Y
Range
100-200
160-320
Marking
RO
RY
1.
BASE
2.
COLLECTOR
3.
EMITTER
SOT-89
1
2
3
Transys
Electronics
L I
M
I T E
D
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