- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370050 > 2SA1668 (SANKEN ELECTRIC CO LTD) Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SA1668 |
| 廠商： | SANKEN ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(硅PNP外延平面晶體管) |
| 中文描述： | 2 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, FM20, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 24K |
| 代理商： | 2SA1668 |
25
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor
(Complement to type 2SC4381/4382)
2S A1667/1668
I
Typical Switching Characteristics (Common Emitter)
V
CC
(V)
–20
R
L
(
)
20
I
C
(A)
–1
V
(V)
5
I
(mA)
100
t
on
(
μ
s)
0.4typ
t
stg
(
μ
s)
1.5typ
t
f
(
μ
s)
0.5typ
I
(mA)
–100
I
C
–V
CE
Characteristics
(Typical)
θ
j-a
–t
Characteristics
I
C
–V
BE
Temperature
Characteristics
(Typical)
Pc–Ta Derating
Safe Operating Area
(Single Pulse)
0
0
–0.8
–0.4
–1.2
–2.0
–1.6
–4
–2
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
–6
–8
–10
C
C
(
–50mA
I
B
=–5mA/Step
h
FE
–I
C
Temperature
Characteristics
(Typical)
–10
–100
–300
–1
–1
–0.01
–0.1
–5
Collector-Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
(
V
CE
(sat)–I
B
Characteristics
(Typical)
0
–3
–2
–1
–2
–100
–10
Base Current I
B
(mA)
–1000
C
C
(
I
C
=–2A
–1A
–0.5A
h
FE
–I
C
Characteristics
(Typical)
–0.01
–0.1
–1
–2
40
100
400
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–10V)
Typ
–0.01
–0.1
–1
–2
30
100
400
Collector Current I
C
(A)
D
F
(V
CE
=–10V)
5s
1s
2m
DC
0.5
5
1
1
10
100
1000
Time t(ms)
T
θ
j
(
Without Heatsink
Natural Cooling
1.2SA1667
2.2SA1668
1
2
25
20
10
2
00
25
50
75
100
125
150
Ambient Temperature Ta(C)
M
C
(
WthIninteheasnk
Without Heatsink
150x150x2
50x50x2
100x
100x2
0
–1.6
–2
–1.2
–0.8
–0.4
0
–1.2
–0.4
–0.2
–0.6
–0.8
–1.0
Base-Emittor Voltage V
BE
(V)
C
C
(
(V
CE
=–10V)
1Cem
2 se)
–Cse
125C
25C
–30C
0.01
0.1
1
2
0
10
20
30
50
40
C
T
(
Z
)
(V
CE
=–12V)
Emitter Current I
E
(A)
Typ
f
T
–I
E
Characteristics
(Typical)
Natural Cooling
Silicone Grease
Heatsink: Aluminum
in mm
V
(V)
–10
External Dimensions
FM20 (TO220F)
3.3
±0.2
10.1
±0.2
4
±
1
±
1
8
±
0
±
3
±
2.54
2.54
1.35
±0.15
0.85
+0.2
-0.1
1.35
±0.15
2.2
±0.2
4.2
±0.2
2.8
c0.5
2.4
±0.2
0.45
+0.2
-0.1
B
E
C
a
b
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
stg
–6
–2
–1
25(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
I
Absolute maximum ratings
I
Electrical Characteristics
Symbol
I
CBO
I
EBO
V
(BR)CEO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
OB
2SA1667
–10
max
–150
–150
min
Unit
μ
A
V
μ
A
V
V
MHz
pF
Conditions
V
CB
=
V
EB
=–6V
I
C
=–25mA
V
CE
=–10V, I
C
=–0.7A
I
C
=–0.7A, I
B
=–0.07A
V
CE
=–12V, I
E
=0.2A
V
CB
=–10V, f=1MHz
(Ta=25°C)
(Ta=25°C)
2SA1668
–200
–200
2SA1667
–150
–150
2SA1668
–10
max
–200
–200
min
–10
max
60
min
–1.0
max
20
typ
60
typ
Application :
TV Vertical Output, Audio Output Driver and General Purpose
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
b. Lot No.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1670 | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR |
| 2SA1672 | SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR |
| 2SA1673 | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) |
| 2SA1687 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(低頻通用放大器應用的PNP硅外延平面型晶體管) |
| 2SA1688 | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(用于高頻通用放大器應用的PNP硅外延平面型晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1668Y | 制造商:Allegro MicroSystems 功能描述:2 SA 1668 Y |
| 2SA1669-TB-E | 功能描述:TRANS PNP 15V 50MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA167 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -20V -.05A .125W |
| 2SA1673 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 180V 15A TO3PF 制造商:Allegro MicroSystems 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-3PF |
| 2SA16740SA | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MT-2 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。