- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄351864 > 2SA1676 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1676 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | 2SA1676 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1677 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 2SA1678 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 2SA1682-4 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SA1682-5 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SA1683R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SPAK |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1679-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1679-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1679-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1679-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-40 IC=-5 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1680(F,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。