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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1708-AN |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2SA1708-AN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1704-AN | 2500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1705-AN | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1707-AN | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1770-AN | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4487-AN | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1708S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1708T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1709S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1709T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA171 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-5 -20V -.05A .125W |
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