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參數資料
型號: 2SA1747Q
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝: MINI, SC-59, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 233K
代理商: 2SA1747Q
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PDF描述
2SA1747R 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1748G 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1748GR 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1748R 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1757/F 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220FP
相關代理商/技術參數
參數描述
2SA17480RL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1748GRL 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
2SA1759T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1761(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk
2SA1761,F(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1
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