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參數(shù)資料
型號(hào): 2SA1755RR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 100K
代理商: 2SA1755RR
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PDF描述
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2SC1342RR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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2SK2247QYUR 2 A, 30 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
2SA1759T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1761(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -3A 120 to 400 LSTM Bulk
2SA1761,F(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1761,T6F(J 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1761,T6F(M 功能描述:TRANS PNP 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 75mA,1.5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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