型號: | 2SA1768S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SIP |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 160V五(巴西)總裁| 700mA的一(c)|園區 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 131K |
代理商: | 2SA1768S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA1768T | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2SA1769R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126VAR |
2SA1769S | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2SA1769T | TRANSISTOR | BJT | PNP | 160V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-126VAR |
2SA1770R | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SA1768T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1770T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |