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參數資料
| 型號： | 2SA1769-RA |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SA1769-RA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1769-LT | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1769-LS | 0.7 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1127-YA | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1127-LS | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SB1127-YA | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1770S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1770T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1771(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -80V -12A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
| 2SA1773E-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP HIGHV 400V 2A TO-251 |
| 2SA1774 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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