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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA1787-E |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | NMP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SA1787-E |
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
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any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
High-Definition CRT Display
Video Output Applications
Ordering number:ENN3581
2SA1787/2SC4650
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
80103TN (KT)/83198HA (KT)/5180TA (KOTO) No.3581–1/5
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( ) : 2SA1786
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
2064A
[2SA1787/2SC4650]
Features
High breakdown voltage : VCEO≥200V.
Small reverse transfer capacitance and excellent high
frequency characteristic:
Cre=1.2pF (NPN), 1.7pF (PNP).
Adoption of FBET processes.
C
Electrical Characteristics at Ta = 25C
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NMP
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1.0
2.54
123
Continued on next page.
* : The 2SA1787/2SC4650 are classified by 10mA hFE as follows :
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4650-F | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1798R | 8 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4425N | 25 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK4178-ZK-E2-AY | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4178(1)-S27-AY | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1790GCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉(zhuǎn)換:47GHz 噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA1790JCL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 30MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791GRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1791JRL | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1793 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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