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參數資料
| 型號： | 2SA1791 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 中文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SA1791 |
1
Transistor
2SA1791
Silicon PNP epitaxial planer type
For high-frequency amplification
Complementary to 2SC4656
I
Features
G
High transition frequency f
T
.
G
Small collector output capacitance C
ob
.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–50
–50
–5
–50
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
CE
= –10V, I
B
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= –2mA
I
C
= –10mA, I
B
= –1mA
V
CB
= –10V, I
E
= 2mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–50
–50
–5
200
typ
– 0.1
250
1.5
max
– 0.1
–100
500
– 0.3
Unit
μ
A
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE
200 ~ 400
250 ~ 500
Marking Symbol
ALQ
ALR
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
–
0
+
–
1
2
3
0.2
±
0.1
Marking symbol :
AL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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