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參數資料
| 型號： | 2SA1806GR |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SSMINI3-F3, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | 2SA1806GR |
Transistors
1
Publication date: May 2007
SJC00381AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
2SA1806G
Silicon PNP epitaxial planar type
For high speed switching
■ Features
High speed switching
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
15
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
15
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
4V
Collector current
IC
50
mA
Peak collector current
ICP
100
mA
Collector power dissipation
PC
125
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base cutoff current (Emitter open)
ICBO
VCB
= 8 V, I
E
= 0
0.1
A
Emitter-base cutoff current (Collector open)
IEBO
VCE = 3 V, IC = 0
0.1
A
Forward current transfer ratio
hFE1 *
VCE = 1 V, IC = 10 mA
50
150
hFE2
VCE
= 1 V, I
C
= 1 mA
30
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
0.1
0.2
V
Transition frequency
fT
VCB = 10 V, IE = 10 mA, f = 200 MHz
800
1 500
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz
1
pF
(Common base, input open circuited)
Turn-on time
ton
Refer to the switching time
12
ns
Turn-off time
toff
measurement circuit
20
ns
Storage time
ts
19
ns
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Ranking is not given for any product.
Rank
Q
R
hFE1
50 to 120
90 to 150
■ Package
Code
SSMini3-F3
Marking Symbol: AK
Pin Name
1. Base
2. Emitter
3. Collector
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1806GQ | 50 mA, 15 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1806R | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1806Q | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1811TPE6 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1812T100P | 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1806GRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1806JRL | 功能描述:TRANS PNP 15VCEO 50MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1807TLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP;HIGH VOLTAGE HFE RANK ’P’ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1812T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1813-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 25V 0.15A 500 to 1200 MCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 25V 0.15A SOT323 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
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