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參數資料
型號: 2SA1810
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial(外延PNP晶體管)
中文描述: 硅外延進步黨(外延進步黨晶體管)
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 35K
代理商: 2SA1810
2SA1810
Silicon PNP Epitaxial
Application
High frequency amplifier
Features
Excellent high frequency characteristics
f
T
= 300 MHz typ
High voltage and low output capacitance
V
CEO
= –200 V, Cob = 5.0 pF typ
Suitable for wide band video amplifier
Complementary pair of 2SC4704
Outline
123
1. Emitter
2. Collector
3. Base
TO-126 MOD
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PDF描述
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參數描述
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2SA1815-4-TB-E 功能描述:TRANS PNP 12V 50MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數(dB典型值@頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA,3V 電流 - 集電極 (Ic)(最大):45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR
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