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參數資料
| 型號： | 2SA1812Q |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 400V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|采用SOT - 89 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | 2SA1812Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1812T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 400V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1813-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 25V 0.15A 500 to 1200 MCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS PNP 25V 0.15A SOT323 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SA1815 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR MCP-15V -.05A .25W CBE SURFACE MT |
| 2SA1815-4-TB-E | 功能描述:TRANS PNP 12V 50MA 3CP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SA182 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-1 -15V -.01A .05W |
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