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參數資料
| 型號： | 2SA1832FV-GR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-1L1A, VESM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | 2SA1832FV-GR |
2SA1832FV
2004-06-17
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1832FV
Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
High voltage: VCEO = 50 V
High current: IC = 150 mA (max)
High hFE: hFE = 120 to 400
Excellent hFE linearity
: hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
Complementary to 2SC4738FV
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
150
mA
Base current
IB
30
mW
Collector power dissipation
PC(Note)
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 ~ 150
°C
Note : Mounted on FR4 board (25.4 mm
× 25.4 mm × 1.6 mmt)
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1L1A
Weight: 0.0015 g(typ.)
Type Name
S Y
hFE Rank
0.5mm
0.45mm
0.4mm
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
VESM
1.2
±
0.
05
0.3
2
±
0.05
1
2
3
0.4
0.2
2
±
0.05
0.8±0.05
0.8
±
0.
05
1.2±0.05
0.5
±
0.
0
5
0.1
3
±
0
.05
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參數描述 |
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