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參數資料
型號: 2SA1869-O
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 126K
代理商: 2SA1869-O
2SA1869
2006-11-09
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1869
Power Amplifier Applications
Good linearity of hFE
Complementary to 2SC4935
Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
0.3
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
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PDF描述
2SA1870TL/EF 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1870TLD 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1870TLDE 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1870TLF 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1870TL/E 12 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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