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參數資料
| 型號： | 2SA1876 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | Switching Power Transistor(-3A PNP) |
| 中文描述： | 開關電源晶體管（三號甲進步黨） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 386K |
| 代理商： | 2SA1876 |
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
HSV Series
Switching Power Transistor
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
-3A PNP
2SA1876
(TE3T8)
Case : E-pack
●
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Tstg
Tj
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
T
Conditions
Ratings
-55
～1
50
1
50
-80
-80
-7
-3
-6
-
1
-
1
.5
1
0
Unit
℃
℃
V
V
V
A
A
A
A
W
Storage Temperature
Junction Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current DC
Collector Current Peak
Base Current DC
Base Current Peak
Total Transistor Dissipation
Tc = 25
℃
●
Electrical Characteristics (Tc=25
℃
)
Item
Collector to Emitter Sustaining Voltage
Symbol
V
CEO
(sus)
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
θ
jc
f
T
ton
Conditions
Ratings
Min -80
Max -0.
1
Max -0.
1
Max -0.
1
Min 70
Max -0.3
Max -
1
.2
Max
1
2.5
TYP 50
Max 0.3
Unit
V
mA
I
C
= -0.05A
At rated Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
At rated Voltage
mA
DC Current Gain
V
CE
= -2V, I
C
=-
1
.5A
I
C
= -
1
.5A
I
B
= -0.
1
5A
Junction to case
V
CE
= -
1
0V, I
C
= -0.3A
Collector to Emitter Saturation Voltage
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage
Thermal Resistance
Transition Frequency
Turn on Time
℃
/W
MHz
I
C
= -
1
.5A
I
B
1
= -0.
1
5A, I
B2
= -0.
1
5A
R
L
= 20
Ω
, V
BB2
= -4V
Storage Time
ts
Max
1
.5
μ
s
Fall Time
tf
Max 0.2
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| 2SA1876-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=-80 IC=-3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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