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參數資料
型號: 2SA1884/NP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
封裝: TO-92LS, 3 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大?。?/td> 101K
代理商: 2SA1884/NP
相關PDF資料
PDF描述
2SD1812T103/NQ 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SD1812T103/PQ 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SA1902/PQ 700 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
2SA934/PR 1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SA1760P 100 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
相關代理商/技術參數
參數描述
2SA1887(F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 50V 10A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA18900RL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1890GRL 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1892-Y(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1896STTD 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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