- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371479 > 2SA1890 (PANASONIC CORP) Silicon PNP epitaxial planer type PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SA1890 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 中文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | 2SA1890 |
1
Transistor
2SA1890
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SC5026
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
automatic insertion through the tape packing and the magazine
packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation (T
C
=25C)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–80
–80
–5
–1.5
–1
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –40V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –2V, I
C
= –100mA
V
CE
= –2V, I
C
= –500mA
*2
I
C
= –500mA, I
B
= –50mA
*2
I
C
= –500mA, I
B
= –50mA
*2
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–80
–80
–5
120
60
typ
– 0.2
– 0.85
120
15
max
– 0.1
340
– 0.3
–1.2
30
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
Unit: mm
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
h
FE1
120 ~ 240
170 ~ 340
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
Marking symbol :
1Z
*2
Pulse measurement
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1891 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SA1892 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
| 2SA1893 | TRANSISTOR (STOROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1899 | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SA1905 | TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA18900RL | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINI PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1890GRL | 功能描述:TRANS PNP 80VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1892-Y(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1896STTD | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1897 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。