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參數(shù)資料
型號: 2SA1892-Y
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: 2-8M1A, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大小: 150K
代理商: 2SA1892-Y
2SA1892
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1892
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)
(IC = 1 A, IB = 0.05 A)
High collector power dissipation: PC = 1.3 W
High-speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.)
Complementary to 2SC5029
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
3
A
Base current
IB
0.2
A
Collector power dissipation
PC
1.3
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-8M1A
Weight: 0.55 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1892 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2SA1901 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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