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參數資料
| 型號： | 2SA1927 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | 2SA1927 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK930 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SD1972 | 3 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK433 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SJ498 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK381 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1930(LBS2MATQ,M | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1930(ONK,Q,M) | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SA1930(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Semi,Bipolar,Transistor,2SA1930(Q),PNP,Power,Low voltage |
| 2SA1930(Q,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 180V 2A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1930,CKQ(J | 功能描述:TRANS PNP 2A 180V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:180V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
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