型號: | 2SA1939 |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
中文描述: | 晶體管(功率放大器應用) |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 24K |
代理商: | 2SA1939 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SA1945 | FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
2SA1963 | High-Frequency Low-Noise Amp, Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SA1969 | High-Frequency Medium-Output Amplifier, Medium-Current Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SA1977 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
2SA1977(NE97733) | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
2SA1939-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 80V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
2SA1940-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 120V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) |
2SA1940-R(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
2SA1941-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -140V -10A 80 to 160 TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP 140V 10A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Tr.,PNP,140V/10A,hfe=80to160,TO-3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
2SA1941-O(Q,T) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |