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參數資料
| 型號： | 2SA1943 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 晶體管（功率放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | 2SA1943 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1944 | FOR RELAY DRIVE POWER SUPPLY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA1947 | FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE |
| 2SA1948 | SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1953 | TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, SWITCHING AND MUTING SWITCH APPLICATIONS) |
| 2SA1954 | TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE AMPLIFIER, SWITCHING AND MUTING SWITCH APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA1943-0 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR PNP 2-21F1A 制造商:MAGNATEC 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 2-21F1A |
| 2SA1943-0 | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:TRANSISTOR PNP 2-21F1A |
| 2SA1943N(S1,E,S) | 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:150W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N） 標準包裝:150 |
| 2SA1943N(S1,X,S) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1943-O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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