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參數資料
| 型號： | 2SA1955FV |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 400 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 2-1L1A, VESM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | 2SA1955FV |
2SA1955FV
2004-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SA1955FV
General Purpose Amplifier Applications
Switching and Muting Switch Application
Low saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.)
@IC = 10 mA/IB = 0.5 mA
Large collector current: IC = 400 mA (max)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
15
V
Collector-emitter voltage
VCEO
12
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
400
mA
Base current
IB
50
mA
Collector power dissipation
PC
150 *
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
* : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mmt)
Marking
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1L1A
Weight: 0.0015g (typ.)
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
VESM
1.2
±
0.
05
0.3
2
±
0.05
1
2
3
0.4
0.
22
±
0.05
0.8±0.05
0.8
±
0.
05
1.2±0.05
0.5
±
0.
05
0.1
3
±
0.05
0.5mm
0.45mm
0.4mm
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PDF描述 |
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