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參數資料
型號: 2SA1960TZ
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 100K
代理商: 2SA1960TZ
相關PDF資料
PDF描述
2SK974(S) 3 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SC535RR Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB739RF 2000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SK1620(S)TL 10 A, 150 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ234(S)TL 2.5 A, 30 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2SA19610QAHW 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA19620TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
2SA1962-O 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1962-O(Q,T) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 230V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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