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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1972 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Power Amplifier Application PNP Transistor(功率放大器用PNP晶體管) |
| 中文描述： | 功率放大器應(yīng)用PNP晶體管（功率放大器用進(jìn)步黨晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2SA1972 |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SA1972(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1972(TE6,F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP, 400V, 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1972,F(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1972,T6WNLF(J | 功能描述:TRANS PNP 500MA 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 20mA，5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:35MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SA1977-A | 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8.5GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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