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參數資料
| 型號： | 2SA2007 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | High-speed Switching Transistor(高速開關晶體管) |
| 中文描述： | 高速開關晶體管（高速開關晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SA2007 |
2SA2007
Transistors
High-speed Switching Transistor (
60V,
12A)
2SA2007
!
Features
1) High switching speed.
(Typ. tf
=
0.15
μ
s at Ic
=
6A)
2) Low saturation voltage.
(Typ. V
CE(sat)
=
0.2V at I
C
/ I
B
=
6A /
0.3A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
4) Complements the 2SC5526.
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(2) Collector(Drain)
(3) Emitter(Source)
(1) Base(Gate)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
100
60
5
12
20
2
25
150
55
～ +
150
Unit
V
V
V
A
A(Pulse)
W
W(Tc
=
25
°
C)
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collectorpowerdissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SA2007
TO-220FN
F
500
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Min.
100
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
f
T
Cob
ton
tstg
tf
5
160
80
250
10
10
0.3
0.5
1.2
320
0.3
1.5
0.3
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
V
MHz
pF
μ
s
μ
s
μ
s
I
C
=
50
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
100V
V
EB
=
5V
I
C
/I
B
=
6A/
0.3A
I
C
/I
B
=
8A/
0.4A
I
C
/I
B
=
6A/
0.3A
BV
CEO
60
V
BE(sat)
1.5
V
I
C
/I
B
=
8A/
0.4A
V
CE
=
2V , I
C
=
2A
V
CE
=
10V , I
E
=
1
A , f
=
30MHz
V
CB
=
10V , I
E
=
0A , f
=
1MHz
I
C
=
6A , R
L
=
5
I
B1
=
I
B2
=
0.3A
V
CC
30V
h
FE
Parameter
BV
CBO
Symbol
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Turn-on time
Storage time
Fall time
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