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參數資料
| 型號： | 2SA2016L-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | 2SA2016L-AB3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SA2016
PNP PLANAR TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 6
QW-R208-018.B
PNP EPIT AX IAL PLANAR
T RANS IS T OR
APPLICAT IONS
* Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.
FEAT URES
*High current capacitance.
*Low collector-to-emitter saturation voltage.
*High-speed switching
*High allowable power dissipation.
SOT-89
1
*Pb-free plating product number: 2SA2016L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SA2016L-AB3-R
Package
3
E
Packing
2SA2016-AB3-R
SOT-89
Tape Reel
2SA2016L-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(3)Lead Plating
(1) R: Tape Reel
(2) AB3: SOT-89
(3) L: Lead Free Plating Blank: Pb/Sn
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA2016-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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