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參數資料
| 型號： | 2SA2075 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | MT-4-A1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | 2SA2075 |
Power Transistors
2SA2075
Silicon PNP epitaxial planar type
1
Publication date: December 2002
SJD00294AED
Power supply for Audio & Visual equipments
such as TVs and VCRs
Industrial equipments such as DC-DC converters
■
Features
High-speed switching (t
stg
: storage time/t
f
: fall time is short)
Low collector-emitter saturation voltage V
CE(sat)
Superior forward current transfer ratio h
FE
linearity
Allowing supply with the radial taping (MT-4)
■
Absolute Maximum Ratings
T
C
=
25
°
C
■
Electrical Characteristics
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
10.0
±
0.2
0.65
±
0.1
0.35
±
0.1
2.5
±
0.2
1
2
3
0.65
±
0.1
1.2
±
0.1
1.48
±
0.2
2.25
±
0.2
C 1.0
0.55
±
0.1
0.55
±
0.1
2.5
±
0.2
1.05
±
0.1
1
±
0
4
±
0
1
±
0
S
5.0
±
0.1
2
±
0
9
1.0
±
0.2
Unit: mm
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
I
CBO
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
V
CB
=
80 V, I
E
=
0
V
CE
=
80 V, I
B
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
1 A
V
CE
=
4 V, I
C
=
3 A
I
C
=
3 A, I
B
=
375 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
0.1 A, f
=
10 MHz
I
C
=
1 A, Resistance loaded
I
B1
=
0.1 A, I
B2
=
0.1 A
V
CC
=
50 V
80
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
100
100
μ
A
μ
A
Collector-emitter cutoff current (Base open)
I
CEO
Forward current transfer ratio
h
FE1
h
FE2
80
250
30
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
1.0
V
Transition frequency
f
T
t
on
100
MHz
Turn-on time
0.2
μ
s
μ
s
μ
s
Storage time
t
stg
0.7
Fall time
t
f
0.1
Internal Connection
B
C
E
Marking Symbol: A2075
1: Base
2: Collector
3: Emitter
MT-4-A1 Package
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
80
80
6
3
5
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
Collector current
I
C
A
Peak collector current
I
CP
P
C
A
Collector power
dissipation
T
C
=
25
°
C
T
a
=
25
°
C
15
W
2.0
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
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