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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA2086STPQ |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SPT, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 96K |
| 代理商： | 2SA2086STPQ |
2SA2086S
Transistors
1/3
Medium power transistor (
30V, 1A)
2SA2086S
!
Features
1) High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC =
1A)
2) Low saturation voltage, typically
(Typ. :
150mV at IC = 1.0A, IB = 100mA)
3) Strong discharge power for inductive load and
capacitance load.
4) Complements the 2SC5874S
!
Applications
Small signal low frequency amplifier
High speed switching
!
External dimensions (Unit : mm)
Taping specifications
Abbreviated symbol :
A2086S
SPT
0.45
2.5
(1) (2) (3)
(15Min.)
5.0
3.0
3Min.
0.45
0.5
4.0
2.0
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
!
Structure
PNP Silicon epitaxial planar transistor
!
Packaging specifications
Taping
2SA2086S
Type
TP
5000
Package
Basic ordering unit (pieces)
Code
!
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
V
A
mW
°C
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
30
6
1
2
300
150
55 to 150
Limits
Unit
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
DC
Pulsed
Pw=10ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SA2088T106Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 0.5A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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