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參數資料
| 型號： | 2SA2120 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | Power Amplifier Applications |
| 中文描述： | 功率放大器應用 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 160K |
| 代理商： | 2SA2120 |
2SA2120
2006-11-16
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type
2SA2120
Power Amplifier Applications
Complementary to 2SC5948
Recommended for audio frequency amplifier output stage.
Absolute Maximum Ratings
(Tc = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
200
V
Collector-emitter voltage
VCEO
200
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
12
A
Base current
IB
1.2
A
Collector power dissipation
P
C
200
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the
absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-16C1A
Weight: 4.7 g (typ.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2121 | Power Amplifier Applications |
| 2SA2140 | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 2SA2151A | Audio Amplification Transistor |
| 2SA2151 | Audio Amplification Transistor |
| 2SA2154 | Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) General-Purpose Amplifier Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA2120-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2120-R(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2121 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications |
| 2SA2121-O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA2121-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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