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參數資料
| 型號： | 2SA854 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 中文描述： | 中等功率晶體管（- 32V的，- 0.5A的） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SA854 |
(96-86-B11)
External dimensions
(Units: mm)
204
Transistors
Medium Power Transistor
(
32V,
0.5A)
2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S
Features
1) Large I
C
.
I
CMax.
=
2) Low V
CE(sat)
. Ideal for low-voltage
operation.
3) Complements the 2SC2411K /
2SC1741S / 2SC4097.
500mA
Structure
Epitaxial planar type
PNP silicon transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1036K | Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA1577 | Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA872 | Silicon PNP Epitaxial(小信號晶體管) |
| 2SA872A | Silicon PNP Epitaxial |
| 2SA893 | Silicon PNP Epitaxial |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA854S | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) |
| 2SA854STPQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA854STPR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA857 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB |
| 2SA858 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-150V -.05A .5W ECB |
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