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參數資料
| 型號： | 2SA949O |
| 英文描述： | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 中文描述： | 5個引腳µ帶看門狗和手動復位的P監控電路 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 455K |
| 代理商： | 2SA949O |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
A94
TRANSISTOR
PNP
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.625 W
Collector current
I
CM:
-0.2 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -400 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
T
stg
: -55
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
unless otherwise specified
Tamb=25
to +150
Tamb=25
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V (BR)
CBO
Ic= -100
A
I
E
=0
-400
V
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR)
CEO
I
C
= -1 mA I
B
=0
-400
V
Emitter-base breakdown voltage
V (BR)
EBO
I
E
=-100
A
I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-400 V, I
E
=0
-0.1
A
Collector cut-off current
I
CEO
V
CE
=-400 V, I
B
=0
-5
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -4 V, I
C
=0
-0.1
A
h
FE 1
V
CE
=-10V, I
C
=-10 mA
80
300
h
FE 2
V
CE
=-10V, I
C
=-1mA
70
DC current gain
h
FE 3
V
CE
=-10V, I
C
=-100 mA
60
V
CE
(sat)
I
C
=-10 mA I
B
=-1mA
-0.2
V
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
=-50 mA I
B
=-5mA
-0.3
V
Base-emitter saturation voltage
V
BE
(sat)
I
C
=-10 mA I
B
= -1 mA
-0.75
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=-20V
f =30MHz
I
C
=-10mA
50
MHz
1
2
3
TO
92
1.EMITTER
2.BASE
3. COLLECTOR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA949Y | TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SA950O | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
| 2SA950Y | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
| 2SA952 | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 2SA953 | PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SA949-O(TE6,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 1mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SA949Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92VAR |
| 2SA949-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA949-Y(JVC1,F,M) | 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 1mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SA949-Y(T6JVC1,FM | 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 1mA，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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