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參數資料
| 型號： | 2SAI633 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | TRANSISTORS |
| 中文描述： | 三極管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SAI633 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1477 | TRANSISTORS |
| 2SB1478 | TRANSISTORS |
| 2SBI345 | TRANSISTORS |
| 2SC4277 | TRANSISTORS |
| 2SC4278 | TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SAR293P | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -1A) |
| 2SAR293P5T100 | 功能描述:PNP MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 |
| 2SAR293PFRAT100 | 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 |
| 2SAR293PT100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SAR340PT100P | 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 |
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