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參數資料
| 型號： | 2SB0621 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 中文描述： | 1000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SB0621 |
1
Transistor
2SB621, 2SB621A
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency output amplification
Complementary to 2SD592 and 2SD592A
I
Features
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
High transition frequency f
T
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
JEDEC:TO–92
EIAJ:SC–43A
5.0
±
0.2
4.0
±
0.2
5
±
0
1
±
0
0.45
+0.2
0.45
+0.2
1.27
1.27
2
±
0
2.54
±
0.15
2
1
3
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–30
–60
–25
–50
–5
–1.5
–1
750
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
mW
C
C
2SB621
2SB621A
2SB621
2SB621A
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base
voltage
Collector to emitter
voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –20V, I
E
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –2mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= –500mA
V
CE
= –5V, I
C
= –1A
I
C
= –500mA, I
B
= –50mA
IC = –500mA, I
B
= –50mA
V
CB
= –10V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–30
–60
–25
–50
–5
85
50
typ
– 0.2
– 0.85
200
20
max
– 0.1
340
–0.4
–1.2
30
Unit
μ
A
V
V
V
V
V
MHz
pF
2SB621
2SB621A
2SB621
2SB621A
*
h
FE1
Rank classification
Rank
Q
R
S
h
FE1
85 ~ 170
120 ~ 240
170 ~ 340
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB0621A | Silicon PNP epitaxial planer type |
| 2SB642 | Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type) |
| 2SB653A | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD673A |
| 2SD673A | LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD673A |
| 2SB674 | 2SB673 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB0621(2SB621) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SB0621/2SB0621A(2SB621/2SB621A) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SB0621. 2SB0621A (2SB621. 2SB621A) - PNP Transistor |
| 2SB06210RA | 功能描述:TRANS PNP 25VCEO 1A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0621A | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon PNP epitaxial planer type |
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