- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371486 > 2SB0956 (PANASONIC CORP) Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SB0956 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 中文描述： | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SB0956 |
1
Transistor
2SB956
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency power amplification
Complementary to 2SD1280
I
Features
G
Large collector power dissipation P
C
.
G
Low collector to emitter saturation voltage V
CE(sat)
.
G
Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing and the maga-
zine packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Collector
3:Emitter
EIAJ:SC–62
Mini Power Type Package
4.5
±
0.1
1.6
±
0.2
2
±
0
2
±
0
0
1
+
–
4
+
–
3.0
±
0.15
1.5
±
0.1
0.4
±
0.08
0.5
±
0.08
1.5
±
0.1
0.4
±
0.04
45
°
marking
3
2
1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
stg
Ratings
–20
–20
–5
–2
–1
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Base to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE(sat)
V
BE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
I
C
= –1mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –2V, I
C
= –500mA
*2
V
CE
= –2V, I
C
= –1.5A
*2
I
C
= –1A, I
B
= –50mA
*2
I
C
= –500mA, I
B
= –50mA
V
CB
= –6V, I
E
= 50mA, f = 200MHz
V
CB
= –6V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–20
–5
130
50
typ
200
40
max
–1
280
– 0.5
–1.2
Unit
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
Rank classification
Rank
R
S
h
FE1
130 ~ 210
180 ~ 280
Marking Symbol
HR
HS
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm
2
or more, and the board
thickness of 1.7mm for the collector portion
Marking symbol :
H
*2
Pulse measurement
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB956 | Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) |
| 2SB0968 | For Low-Frequency Output Amplification |
| 2SB0976 | TV 41C 41#20 PIN WALL RECP |
| 2SB1011 | Silicon PNP triple diffusion planar type |
| 2SB1015 | TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB0956(2SB956) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號トランジスタ － 汎用低周波増幅 |
| 2SB09560RL | 功能描述:TRANS PNP LF 20VCEO 1A MINI-PWR RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0956GRL | 功能描述:TRANS PNP 20VCEO 1A MINIP-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB0956R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
| 2SB0956S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。