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參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1020A
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: 2-10R1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 149K
代理商: 2SB1020A
2SB1020A
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power)
2SB1020A
High-Power Switching Applications
Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications
High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 3 V, IC = 3 A)
Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 3 A)
Complementary to 2SD1415A
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
100
V
Collector-emitter voltage
VCEO
100
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
DC
IC
7
Collector current
Pulse
ICP
10
A
Base current
IB
0.7
A
Ta = 25°C
2.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
30
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Equivalent Circuit
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
Base
Emitter
≈ 5 k
Collector
≈ 150
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SB1020A(F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT HFE 2000(min) VCE-3V Vcbo -100V DC -7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1020A_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Type (Darlington Power)
2SB1021 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR 2-10L1A-80V -7A 40W BCE
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