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參數資料
型號: 2SB1059-B
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 55K
代理商: 2SB1059-B
相關PDF資料
PDF描述
2SB1059-C SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1063Q 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1063R 5 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1071Q 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SB1071R 4 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1059C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
2SB1061 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Power Amplifier
2SB1062 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Si PNP Epitaxial Plannar
2SB1063 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:High Power Amplifier Complementary Pair with 2SD1499
2SB10630P 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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