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參數資料
| 型號： | 2SB1059RF |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SB1059RF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3390RR | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3391RR | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK1918(S)TL | 25 A, 60 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SA836RR | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SJ363PYTL | 2 A, 30 V, 0.75 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SB1061 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Triple Diffused Low Frequency Power Amplifier |
| 2SB1062 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Si PNP Epitaxial Plannar |
| 2SB1063 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:High Power Amplifier Complementary Pair with 2SD1499 |
| 2SB10630P | 功能描述:TRANS PNP 100VCEO 5A TO-220F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SB1063P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-186 |
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