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參數資料
| 型號： | 2SB1106 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散PNP晶體管) |
| 中文描述： | 三重擴散硅進步黨（三倍擴散進步黨晶體管） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SB1106 |
2SB1106
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier
Outline
TO-220AB
3.0 k
(Typ)
180
(Typ)
1
2
3
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
I
D
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
q
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
–120
V
Collector to emitter voltage
–120
V
Emitter to base voltage
–7
V
Collector current
–6
A
Collector peak current
–12
A
Collector power dissipation
1
40
W
Junction temperature
150
q
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
q
C
C to E diode forward current
Note:
1. Value at T
C
= 25
q
C.
I
D
*
1
6
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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